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第1讲 IGBT的基本驱动电路
概要:笔者从事电力电子研发领域,经常使用IGBT,积累了一些设计经验,在此与大家分享。大部分内容不追求理论深度,而主要是帮助大家提高感性认识,为使用IGBT提供一些参考。
1.IGBT的模型 IGBT的模型在教科书上能找到,其栅极G,相当于一个数纳法(nF)的小电容(暂时这样认为),这与MOS管类似;其集电极C和发射极E又类似于一只三极管的C、E极。因此,它结合了MOS管和三极管的特点: 2. IGBT的基本驱动电路 (1)供电采用隔离变压器,最好采用开关稳压电源,上下桥严格隔离,安全间距1mm/100V,即对于380V系统要用4mm安全间距。 (2)供电电压:+17.5V,-8V,GND。其中GND接IGBT的E极。+17.5V和-8V接光耦的8、5脚。 (3)瞬时电流提供:供电电源上并接1uF/50V独石电容若干个。 (4)栅极驱动电阻Rg,采用IGBT资料的推荐值至推荐值的3倍之间。 (5)栅极放电电阻,10k欧;栅极保护稳压二极管:18V/1W,头对头串联。
IGBT的基本驱动电路 IGBT使用的基本驱动电路就介绍到这里。关于IGBT的使用细节,我们将继续发文叙述。感谢大家的关注! |